Буферизованная (Registered) - нет
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Пропускная способность - 8500 Мб/с
Объем - 1 модуль 1 Гб
Тип памяти - DDR3
Поддержка ECC - нет
RAS to CAS Delay (tRCD) - 7
Напряжение питания - 1.5 В
Тактовая частота - 1066 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 7