Буферизованная (Registered) - нет Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24 Пропускная способность - 8500 Мб/с Объем - 1 модуль 1 Гб Тип памяти - DDR3 Поддержка ECC - нет RAS to CAS Delay (tRCD) - 7 Напряжение питания - 1.5 В Тактовая частота - 1066 МГц Row Precharge Delay (tRP) - 7
|