Об уходе за монитором.Входная страницаСообществаПравила магазинаО способах доставкиКак доехать

 

Модули памяти NCPМодули памяти NanyaМодули памяти OCZМодули памяти для ноутбуков OCZМодули оперативной памяти OCZМодули оперативной памяти для ноутбуков OCZПамять OCZМодульная память OCZМодули памяти PNYМодули памяти PQIМодули памяти PatriotМодули памяти для ноутбуков PatriotМодули оперативной памяти PatriotМодули оперативной памяти для ноутбуков PatriotПамять PatriotМодули памяти ProMOS Technologies Модули памяти Qimonda Модули памяти SamsungМодули памяти для ноутбуков SamsungМодули оперативной памяти SamsungМодули оперативной памяти для ноутбуков SamsungПамять SamsungМодульная память SamsungSamsung модули памятиSamsung модули оперативной памятиSamsung модули памяти для ноутбуковSamsung модули оперативной памяти для ноутбуковSamsung памятьSamsung модульная памятьМодульная память от SamsungОпциональная память SamsungSamsung опциональная памятьПамять для офисных устройств SamsungSamsung память для офисных устройствМодули памяти для офисных устройств SamsungПамять для ноутбуков SamsungSamsung память с проверкой точности


Объявления




Реклама



 



Samsung модули памяти для ноутбуков

Geil GB24GB8500C5DC

Geil GB24GB8500C5DC

Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 1066 МГц
Поддержка ECC - нет


HP 343057-B21

HP 343057-B21

Тип памяти - DDR2
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


OCZ OCZ3G13331G

OCZ OCZ3G13331G

Напряжение питания - 1.6 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
CAS Latency (CL) - 9
Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection
Поддержка ECC - нет


Qimonda HYS72T256420HFN-3S-B

Qimonda HYS72T256420HFN-3S-B

Количество чипов каждого модуля - 36, двусторонняя упаковка
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Напряжение питания - 1.8 В
Тип памяти - DDR2


HP GV576-AA

HP GV576-AA

Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - нет
Объем - 1 модуль 2 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 800 МГц


Kingston KVR400D2S8R3/512

Kingston KVR400D2S8R3/512

Тактовая частота - 400 МГц
Количество чипов каждого модуля - 9, односторонняя упаковка
Буферизованная (Registered) - да
Поддержка ECC - есть
Пропускная способность - 3200 Мб/с


Transcend JM1066KSU-1G

Transcend JM1066KSU-1G

Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SODIMM 204-контактный
Поддержка ECC - нет
CAS Latency (CL) - 7
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - нет


OCZ OCZ2G8001G

OCZ OCZ2G8001G

Радиатор - есть
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR2
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 2 модуля по 512 Мб


Kingston KVR1066D3S8R7S/1G

Kingston KVR1066D3S8R7S/1G

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC - есть
RAS to CAS Delay (tRCD) - 7
Буферизованная (Registered) - да
Количество чипов каждого модуля - 9, двусторонняя упаковка
Row Precharge Delay (tRP) - 7


Transcend TS512MAPPB133

Transcend TS512MAPPB133

Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - SODIMM 144-контактный
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - SDRAM


Samsung DDR2-667-FB-DIMM-2Gb

Samsung DDR2-667-FB-DIMM-2Gb

Тактовая частота - 667 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 5
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Поддержка ECC - есть


Samsung DDR2-667-FB-DIMM-4Gb

Samsung DDR2-667-FB-DIMM-4Gb

Объем - 1 модуль 4 Гб
CAS Latency (CL) - 5
Напряжение питания - 1.8 В
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Поддержка ECC - есть
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Форм-фактор - FB-DIMM 240-контактный


Kingston KVR667D2N5/512

Kingston KVR667D2N5/512

Объем - 1 модуль 512 Мб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
CAS Latency (CL) - 5
Напряжение питания - 1.8 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5


Kingston KVR800D2D4F5/2G

Kingston KVR800D2D4F5/2G

Поддержка ECC - есть
CAS Latency (CL) - 5
Форм-фактор - FB-DIMM 240-контактный
Буферизованная (Registered) - да
Тактовая частота - 800 МГц


HP 413015-B21

HP 413015-B21

Объем - 2 модуля по 8 Гб
Поддержка ECC - есть
Тактовая частота - 667 МГц
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - FB-DIMM


Kingmax DDR2-800-DIMM-1-Gb

Kingmax DDR2-800-DIMM-1-Gb

Тактовая частота - 800 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Буферизованная (Registered) - нет
Поддержка ECC - нет
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Объем - 1 модуль 1 Гб
CAS Latency (CL) - 5


OCZ OCZ2VU8004GK

OCZ OCZ2VU8004GK

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR2
RAS to CAS Delay (tRCD) - 6
Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 800 МГц


Kingston KVR1066D3Q8R7S/4G

Kingston KVR1066D3Q8R7S/4G

Объем - 1 модуль 4 Гб
Буферизованная (Registered) - да
CAS Latency (CL) - 7
Тактовая частота - 1066 МГц
Количество ранков - 4


HP 408850-B21

HP 408850-B21

Объем - 2 модуля по 512 Мб
Количество ранков - 1
Поддержка ECC - есть
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Пропускная способность - 5300 Мб/с


OCZ OCZ2N10661G

OCZ OCZ2N10661G

Объем - 1 модуль 1 Гб
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5


OCZ OCZ3RPR16004GK

OCZ OCZ3RPR16004GK

Буферизованная (Registered) - нет
Радиатор - есть
Пропускная способность - 12800 Мб/с


Kingston KHX1333C7D3K2/2GX

Kingston KHX1333C7D3K2/2GX

Activate to Precharge Delay (tRAS) - 20
Напряжение питания - 1.7 В
Радиатор - есть


OCZ OCZ2N800SR2G

OCZ OCZ2N800SR2G

Радиатор - есть
Напряжение питания - 2.1 В
CAS Latency (CL) - 4


Crucial BL3KIT12864TB1608

Crucial BL3KIT12864TB1608

Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Поддержка ECC - нет


Kingston KVR400D2D8R3/2GI

Kingston KVR400D2D8R3/2GI

Буферизованная (Registered) - да
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Объем - 1 модуль 2 Гб
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тактовая частота - 400 МГц


OCZ OCZ3N1800SR2GK

OCZ OCZ3N1800SR2GK

Буферизованная (Registered) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 27
Объем - 2 модуля по 1 Гб
Пропускная способность - 14400 Мб/с


OCZ OCZ3G18002GK

OCZ OCZ3G18002GK

Тип памяти - DDR3
Напряжение питания - 1.9 В
CAS Latency (CL) - 9


Corsair TWIN3X4096-1600C7DHX

Corsair TWIN3X4096-1600C7DHX

CAS Latency (CL) - 7
Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 1.9 В
Тактовая частота - 1600 МГц


Kingston KVR667D2S5K2/8G

Kingston KVR667D2S5K2/8G

Поддержка ECC - нет
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Тактовая частота - 667 МГц
Тип памяти - DDR2


Kingston KHX1600C8D3K3/3GX

Kingston KHX1600C8D3K3/3GX

RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Радиатор - есть
Пропускная способность - 12800 Мб/с
Напряжение питания - 1.65 В
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Kingston KVR1066D3S4R7S/2G

Kingston KVR1066D3S4R7S/2G

Буферизованная (Registered) - да
CAS Latency (CL) - 7
Объем - 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC - есть
Напряжение питания - 1.5 В
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Kingmax DDR3-1333-DIMM-2Gb

Kingmax DDR3-1333-DIMM-2Gb

Row Precharge Delay (tRP) - 9
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 2 Гб


HP EM160AA

HP EM160AA

Тип памяти - DDR2
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - да
Объем - 1 модуль 1 Гб


Hynix DDR2-800-DIMM-512Mb

Hynix DDR2-800-DIMM-512Mb

Количество чипов каждого модуля - 8, односторонняя упаковка
Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 1 модуль 512 Мб
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - DDR2


OCZ OCZ3G10661G

OCZ OCZ3G10661G

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 1 модуль 1 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Поддержка ECC - нет
Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection


OCZ OCZ3G16002GK

OCZ OCZ3G16002GK

Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - нет


OCZ OCZ3P18004GK

OCZ OCZ3P18004GK

RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Пропускная способность - 14400 Мб/с
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


Kingston KVR1066D3D4R7SK3/24G

Kingston KVR1066D3D4R7SK3/24G

Тип памяти - DDR3
Объем - 3 модуля по 8 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тактовая частота - 1066 МГц
CAS Latency (CL) - 7
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


OCZ OCZ2N800SRC44GK

OCZ OCZ2N800SRC44GK

Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Радиатор - есть


Apacer DDR2-667-Registered-ECC-DIMM-512Mb

Apacer DDR2-667-Registered-ECC-DIMM-512Mb

Напряжение питания - 1.8 В
Поддержка ECC - есть
Тактовая частота - 667 МГц


Kingston KVR1066D3N7/2G

Kingston KVR1066D3N7/2G

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Пропускная способность - 8500 Мб/с
Row Precharge Delay (tRP) - 7


OCZ OCZ3P18001G

OCZ OCZ3P18001G

Радиатор - есть
Объем - 1 модуль 1 Гб
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection
CAS Latency (CL) - 8
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Поддержка ECC - нет


Corsair TW3X2G2000C9DFNV

Corsair TW3X2G2000C9DFNV

Дополнительная информация - SLI-Ready
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Тактовая частота - 2000 МГц
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Радиатор - есть


Kingmax DDR-400-DIMM-512-Mb

Kingmax DDR-400-DIMM-512-Mb

Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 2.5 В
Объем - 1 модуль 512 Мб
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Тактовая частота - 400 МГц
Форм-фактор - DIMM 184-контактный


Kingston KVR800D2N5/512

Kingston KVR800D2N5/512

Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 800 МГц
CAS Latency (CL) - 5
Напряжение питания - 1.8 В
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Kingston KHX1600C9D3T1K3/6GX

Kingston KHX1600C9D3T1K3/6GX

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Напряжение питания - 1.65 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9


OCZ OCZ2P8001G

OCZ OCZ2P8001G

RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Поддержка ECC - нет
Объем - 1 модуль 1 Гб


HP 500658-B21

HP 500658-B21

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - есть
Тип памяти - DDR3
Буферизованная (Registered) - да
CAS Latency (CL) - 9
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


OCZ OCZ3G13332GK

OCZ OCZ3G13332GK

RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 26
Объем - 2 модуля по 1 Гб
Тактовая частота - 1333 МГц


Kingston KVR1066D3E7S/2G

Kingston KVR1066D3E7S/2G

Поддержка ECC - есть
Объем - 1 модуль 2 Гб
RAS to CAS Delay (tRCD) - 7