| Geil GB24GB8500C5DC Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 1066 МГц
Поддержка ECC - нет
| |
|
| HP 343057-B21 Тип памяти - DDR2
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
| |
|
| OCZ OCZ3G13331G Напряжение питания - 1.6 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
CAS Latency (CL) - 9
Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection
Поддержка ECC - нет
| |
|
| Qimonda HYS72T256420HFN-3S-B Количество чипов каждого модуля - 36, двусторонняя упаковка
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Напряжение питания - 1.8 В
Тип памяти - DDR2
| |
|
| HP GV576-AA Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - нет
Объем - 1 модуль 2 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 800 МГц
| |
|
| Kingston KVR400D2S8R3/512 Тактовая частота - 400 МГц
Количество чипов каждого модуля - 9, односторонняя упаковка
Буферизованная (Registered) - да
Поддержка ECC - есть
Пропускная способность - 3200 Мб/с
| |
|
| Transcend JM1066KSU-1G Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SODIMM 204-контактный
Поддержка ECC - нет
CAS Latency (CL) - 7
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - нет
| |
|
| OCZ OCZ2G8001G Радиатор - есть
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR2
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 2 модуля по 512 Мб
| |
|
| Kingston KVR1066D3S8R7S/1G Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC - есть
RAS to CAS Delay (tRCD) - 7
Буферизованная (Registered) - да
Количество чипов каждого модуля - 9, двусторонняя упаковка
Row Precharge Delay (tRP) - 7
| |
|
| Transcend TS512MAPPB133 Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - SODIMM 144-контактный
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - SDRAM
| |
|
| Samsung DDR2-667-FB-DIMM-2Gb Тактовая частота - 667 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 5
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Поддержка ECC - есть
| |
|
| Samsung DDR2-667-FB-DIMM-4Gb Объем - 1 модуль 4 Гб
CAS Latency (CL) - 5
Напряжение питания - 1.8 В
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Поддержка ECC - есть
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Форм-фактор - FB-DIMM 240-контактный
| |
|
| Kingston KVR667D2N5/512 Объем - 1 модуль 512 Мб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
CAS Latency (CL) - 5
Напряжение питания - 1.8 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
| |
|
| Kingston KVR800D2D4F5/2G Поддержка ECC - есть
CAS Latency (CL) - 5
Форм-фактор - FB-DIMM 240-контактный
Буферизованная (Registered) - да
Тактовая частота - 800 МГц
| |
|
| HP 413015-B21 Объем - 2 модуля по 8 Гб
Поддержка ECC - есть
Тактовая частота - 667 МГц
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - FB-DIMM
| |
|
| Kingmax DDR2-800-DIMM-1-Gb Тактовая частота - 800 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Буферизованная (Registered) - нет
Поддержка ECC - нет
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Объем - 1 модуль 1 Гб
CAS Latency (CL) - 5
| |
|
| OCZ OCZ2VU8004GK Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR2
RAS to CAS Delay (tRCD) - 6
Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 800 МГц
| |
|
| Kingston KVR1066D3Q8R7S/4G Объем - 1 модуль 4 Гб
Буферизованная (Registered) - да
CAS Latency (CL) - 7
Тактовая частота - 1066 МГц
Количество ранков - 4
| |
|
| HP 408850-B21 Объем - 2 модуля по 512 Мб
Количество ранков - 1
Поддержка ECC - есть
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Пропускная способность - 5300 Мб/с
| |
|
| OCZ OCZ2N10661G Объем - 1 модуль 1 Гб
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
| |
|
| OCZ OCZ3RPR16004GK Буферизованная (Registered) - нет
Радиатор - есть
Пропускная способность - 12800 Мб/с
| |
|
| Kingston KHX1333C7D3K2/2GX Activate to Precharge Delay (tRAS) - 20
Напряжение питания - 1.7 В
Радиатор - есть
| |
|
| OCZ OCZ2N800SR2G Радиатор - есть
Напряжение питания - 2.1 В
CAS Latency (CL) - 4
| |
|
| Crucial BL3KIT12864TB1608 Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Поддержка ECC - нет
| |
|
| Kingston KVR400D2D8R3/2GI Буферизованная (Registered) - да
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Объем - 1 модуль 2 Гб
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тактовая частота - 400 МГц
| |
|
| OCZ OCZ3N1800SR2GK Буферизованная (Registered) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 27
Объем - 2 модуля по 1 Гб
Пропускная способность - 14400 Мб/с
| |
|
| OCZ OCZ3G18002GK Тип памяти - DDR3
Напряжение питания - 1.9 В
CAS Latency (CL) - 9
| |
|
| Corsair TWIN3X4096-1600C7DHX CAS Latency (CL) - 7
Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 1.9 В
Тактовая частота - 1600 МГц
| |
|
| Kingston KVR667D2S5K2/8G Поддержка ECC - нет
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Тактовая частота - 667 МГц
Тип памяти - DDR2
| |
|
| Kingston KHX1600C8D3K3/3GX RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Радиатор - есть
Пропускная способность - 12800 Мб/с
Напряжение питания - 1.65 В
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
| |
|
| Kingston KVR1066D3S4R7S/2G Буферизованная (Registered) - да
CAS Latency (CL) - 7
Объем - 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC - есть
Напряжение питания - 1.5 В
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
| |
|
| Kingmax DDR3-1333-DIMM-2Gb Row Precharge Delay (tRP) - 9
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 2 Гб
| |
|
| HP EM160AA Тип памяти - DDR2
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - да
Объем - 1 модуль 1 Гб
| |
|
| Hynix DDR2-800-DIMM-512Mb Количество чипов каждого модуля - 8, односторонняя упаковка
Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 1 модуль 512 Мб
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - DDR2
| |
|
| OCZ OCZ3G10661G Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 1 модуль 1 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Поддержка ECC - нет
Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection
| |
|
| OCZ OCZ3G16002GK Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - нет
| |
|
| OCZ OCZ3P18004GK RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Пропускная способность - 14400 Мб/с
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
| |
|
| Kingston KVR1066D3D4R7SK3/24G Тип памяти - DDR3
Объем - 3 модуля по 8 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тактовая частота - 1066 МГц
CAS Latency (CL) - 7
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
| |
|
| OCZ OCZ2N800SRC44GK Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Радиатор - есть
| |
|
| Apacer DDR2-667-Registered-ECC-DIMM-512Mb Напряжение питания - 1.8 В
Поддержка ECC - есть
Тактовая частота - 667 МГц
| |
|
| Kingston KVR1066D3N7/2G Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Пропускная способность - 8500 Мб/с
Row Precharge Delay (tRP) - 7
| |
|
| OCZ OCZ3P18001G Радиатор - есть
Объем - 1 модуль 1 Гб
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection
CAS Latency (CL) - 8
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Поддержка ECC - нет
| |
|
| Corsair TW3X2G2000C9DFNV Дополнительная информация - SLI-Ready
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Тактовая частота - 2000 МГц
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Радиатор - есть
| |
|
| Kingmax DDR-400-DIMM-512-Mb Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 2.5 В
Объем - 1 модуль 512 Мб
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Тактовая частота - 400 МГц
Форм-фактор - DIMM 184-контактный
| |
|
| Kingston KVR800D2N5/512 Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 800 МГц
CAS Latency (CL) - 5
Напряжение питания - 1.8 В
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
| |
|
| Kingston KHX1600C9D3T1K3/6GX Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Напряжение питания - 1.65 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
| |
|
| OCZ OCZ2P8001G RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Поддержка ECC - нет
Объем - 1 модуль 1 Гб
| |
|
| HP 500658-B21 Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - есть
Тип памяти - DDR3
Буферизованная (Registered) - да
CAS Latency (CL) - 9
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
| |
|
| OCZ OCZ3G13332GK RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 26
Объем - 2 модуля по 1 Гб
Тактовая частота - 1333 МГц
| |
|
| Kingston KVR1066D3E7S/2G Поддержка ECC - есть
Объем - 1 модуль 2 Гб
RAS to CAS Delay (tRCD) - 7
| |
|
