Об уходе за монитором.Входная страницаСообществаПравила магазинаО способах доставкиКак доехать

 

Модули памяти NCPМодули памяти NanyaМодули памяти OCZМодули памяти для ноутбуков OCZМодули оперативной памяти OCZМодули оперативной памяти для ноутбуков OCZПамять OCZМодульная память OCZМодули памяти PNYМодули памяти PQIМодули памяти PatriotМодули памяти для ноутбуков PatriotМодули оперативной памяти PatriotМодули оперативной памяти для ноутбуков PatriotПамять PatriotМодули памяти ProMOS Technologies Модули памяти Qimonda Модули памяти SamsungМодули памяти для ноутбуков SamsungМодули оперативной памяти SamsungМодули оперативной памяти для ноутбуков SamsungПамять SamsungМодульная память SamsungSamsung модули памятиSamsung модули оперативной памятиSamsung модули памяти для ноутбуковSamsung модули оперативной памяти для ноутбуковSamsung памятьSamsung модульная памятьМодульная память от SamsungОпциональная память SamsungSamsung опциональная памятьПамять для офисных устройств SamsungSamsung память для офисных устройствМодули памяти для офисных устройств SamsungПамять для ноутбуков SamsungSamsung память с проверкой точности


Объявления




Реклама



 



Память Samsung

Kingston KVR1066D3E7/2G

Kingston KVR1066D3E7/2G

Объем - 1 модуль 2 Гб
Тактовая частота - 1066 МГц
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


Transcend TS128MSQ64V6J

Transcend TS128MSQ64V6J

Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 1.8 В
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


OCZ OCZ3P16001G

OCZ OCZ3P16001G

Пропускная способность - 12800 Мб/с
Объем - 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


OCZ OCZ2P8002G

OCZ OCZ2P8002G

Тактовая частота - 800 МГц
CAS Latency (CL) - 5
Объем - 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Дополнительная информация - поддержка технологий Extended Voltage Protection


Kingston KVR333X64C25/1G

Kingston KVR333X64C25/1G

Форм-фактор - DIMM 184-контактный
Напряжение питания - 2.5 В
Тактовая частота - 333 МГц
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - нет
Пропускная способность - 2700 Мб/с


Kingston KVR333S4R25/1G

Kingston KVR333S4R25/1G

Тип памяти - DDR
Поддержка ECC - есть
Тактовая частота - 333 МГц
Форм-фактор - DIMM 184-контактный


Kingston KVR1066D3N7K3/6G

Kingston KVR1066D3N7K3/6G

Пропускная способность - 8500 Мб/с
Объем - 3 модуля по 2 Гб
Тактовая частота - 1066 МГц
CAS Latency (CL) - 7


Kingston KVR667D2D8F5K2/4G

Kingston KVR667D2D8F5K2/4G

Объем - 2 модуля по 2 Гб
Радиатор - есть
Тактовая частота - 667 МГц
Количество ранков - 2
Буферизованная (Registered) - да


OCZ OCZ3G1333LV6GK

OCZ OCZ3G1333LV6GK

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Буферизованная (Registered) - нет
Тип памяти - DDR3
Объем - 3 модуля по 2 Гб
Тактовая частота - 1333 МГц
Радиатор - есть


HP 397413-B21

HP 397413-B21

Поддержка ECC - есть
Буферизованная (Registered) - да
Форм-фактор - FB-DIMM
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Тип памяти - DDR2


OCZ OCZ3M10662G

OCZ OCZ3M10662G

RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Тактовая частота - 1066 МГц
Объем - 1 модуль 2 Гб
Тип памяти - DDR3
Напряжение питания - 1.5 В
Буферизованная (Registered) - нет
CAS Latency (CL) - 8


Geil GB22GB6400C5DC

Geil GB22GB6400C5DC

Напряжение питания - 1.9 В
CAS Latency (CL) - 5
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Поддержка ECC - нет


Geil GV34GB1333C7DC

Geil GV34GB1333C7DC

CAS Latency (CL) - 7
Пропускная способность - 10660 Мб/с
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Тип памяти - DDR3
Радиатор - есть
Буферизованная (Registered) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 7


Corsair TW3X4G1333C9

Corsair TW3X4G1333C9

Row Precharge Delay (tRP) - 9
Тип памяти - DDR3
Поддержка ECC - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
CAS Latency (CL) - 9


OCZ OCZ3P13332G

OCZ OCZ3P13332G

Тип памяти - DDR3
RAS to CAS Delay (tRCD) - 7
Row Precharge Delay (tRP) - 7
Буферизованная (Registered) - нет
Пропускная способность - 10666 Мб/с


Transcend TS256MLQ64V6U

Transcend TS256MLQ64V6U

Буферизованная (Registered) - нет
Тип памяти - DDR2
Тактовая частота - 667 МГц


OCZ OCZ2V8001G

OCZ OCZ2V8001G

Объем - 1 модуль 1 Гб
Пропускная способность - 6400 Мб/с
CAS Latency (CL) - 5
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Буферизованная (Registered) - нет


Kingston KHX9200D2K2/2G

Kingston KHX9200D2K2/2G

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 2 модуля по 1 Гб
Пропускная способность - 9200 Мб/с
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5


Kingston KHX9600D2K2/2G

Kingston KHX9600D2K2/2G

Буферизованная (Registered) - нет
Тип памяти - DDR2
Пропускная способность - 9600 Мб/с
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 2 модуля по 1 Гб
CAS Latency (CL) - 5


OCZ OCZ2G8002G

OCZ OCZ2G8002G

Объем - 1 модуль 2 Гб
Пропускная способность - 6400 Мб/с
Радиатор - есть
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 18
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


OCZ OCZ3RPR1600LV6GK

OCZ OCZ3RPR1600LV6GK

Тактовая частота - 1600 МГц
RAS to CAS Delay (tRCD) - 7
Тип памяти - DDR3
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Радиатор - есть


Apple DDR3-1066-SO-DIMM-4Gb-(2x2GB)

Apple DDR3-1066-SO-DIMM-4Gb-(2x2GB)

Объем - 2 модуля по 2 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Форм-фактор - SODIMM


Transcend TS128MLK64V3U

Transcend TS128MLK64V3U

Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - нет
CAS Latency (CL) - 9
Напряжение питания - 1.5 В


Kingston KTT533D2/2G

Kingston KTT533D2/2G

Объем - 1 модуль 2 Гб
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Тактовая частота - 533 МГц
CAS Latency (CL) - 4
Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


OCZ OCZ3G16002G

OCZ OCZ3G16002G

Напряжение питания - 1.9 В
Дополнительная информация - поддержка 1.95В Extended Voltage Protection
Тип памяти - DDR3
Объем - 1 модуль 2 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Поддержка ECC - нет


OCZ OCZ2P10662G

OCZ OCZ2P10662G

Тип памяти - DDR2
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Напряжение питания - 2.1 В
Поддержка ECC - нет
Радиатор - есть
Дополнительная информация - поддержка 2.15В Extended Voltage Protection
CAS Latency (CL) - 5


Kingston KVR800D2S5/1G

Kingston KVR800D2S5/1G

Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 1 модуль 1 Гб
Пропускная способность - 6400 Мб/с
Поддержка ECC - нет
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный


Kingston KVR400D2S8R3/1G

Kingston KVR400D2S8R3/1G

Поддержка ECC - есть
Буферизованная (Registered) - да
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Объем - 1 модуль 1 Гб


Kingston KVR667D2D8F5/1G

Kingston KVR667D2D8F5/1G

Дополнительная информация - Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.
CAS Latency (CL) - 5
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Количество чипов каждого модуля - 18, двусторонняя упаковка
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Количество ранков - 2


Kingston KHX6400D2LLK2/2GN

Kingston KHX6400D2LLK2/2GN

Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 2 модуля по 1 Гб
Тип памяти - DDR2
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


OCZ OCZ2T800C42G

OCZ OCZ2T800C42G

Тактовая частота - 800 МГц
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Радиатор - есть
Объем - 1 модуль 2 Гб
RAS to CAS Delay (tRCD) - 4
Буферизованная (Registered) - нет


OCZ OCZ3G18002G

OCZ OCZ3G18002G

Буферизованная (Registered) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


Apacer DDR2-800-SO-DIMM-2Gb

Apacer DDR2-800-SO-DIMM-2Gb

Пропускная способность - 6400 Мб/с
Тактовая частота - 800 МГц
Объем - 1 модуль 2 Гб


Kingston KVR667D2D4P5/4G

Kingston KVR667D2D4P5/4G

Тип памяти - DDR2
Объем - 1 модуль 4 Гб
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Напряжение питания - 1.8 В
Количество ранков - 2
Тактовая частота - 667 МГц


OCZ OCZ2RPX10004GK

OCZ OCZ2RPX10004GK

Напряжение питания - 2.1 В
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


Kingston KVR1066D2N7/1G

Kingston KVR1066D2N7/1G

Объем - 1 модуль 1 Гб
CAS Latency (CL) - 7
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR2
Тактовая частота - 1066 МГц
Пропускная способность - 8500 Мб/с


Kingston KVR533D2D8R4/1G

Kingston KVR533D2D8R4/1G

CAS Latency (CL) - 4
Поддержка ECC - есть
Количество ранков - 2
Тип памяти - DDR2
Буферизованная (Registered) - да
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


Hynix DDR3-1066-SO-DIMM-2Gb

Hynix DDR3-1066-SO-DIMM-2Gb

Напряжение питания - 1.5 В
Тактовая частота - 1066 МГц
Буферизованная (Registered) - нет
Тип памяти - DDR3
Объем - 1 модуль 2 Гб


Transcend TX1800KLU-4GK

Transcend TX1800KLU-4GK

RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


Kingston KHX5300S2LLK2/4G

Kingston KHX5300S2LLK2/4G

Тип памяти - DDR2
CAS Latency (CL) - 4
Поддержка ECC - нет
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12
RAS to CAS Delay (tRCD) - 4
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка


OCZ OCZ3P16002G

OCZ OCZ3P16002G

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Пропускная способность - 12800 Мб/с
CAS Latency (CL) - 7
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Geil GV34GB1600C8DC

Geil GV34GB1600C8DC

Пропускная способность - 12800 Мб/с
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Тип памяти - DDR3
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Буферизованная (Registered) - нет


Transcend TS64MLD64V4F3

Transcend TS64MLD64V4F3

Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 2.6 В
Буферизованная (Registered) - нет


Transcend TS256MSQ64V8U

Transcend TS256MSQ64V8U

Напряжение питания - 1.8 В
Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Пропускная способность - 6400 Мб/с
Тип памяти - DDR2
CAS Latency (CL) - 5


Transcend TS64MSD64V3J

Transcend TS64MSD64V3J

Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Тип памяти - DDR
CAS Latency (CL) - 2.5
Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 1 модуль 512 Мб


Kingston KHX8500D2K4/4G

Kingston KHX8500D2K4/4G

CAS Latency (CL) - 5
Объем - 4 модуля по 1 Гб
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Тип памяти - DDR2
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 5


HP 516423-B21

HP 516423-B21

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 8 Гб
Тактовая частота - 1066 МГц
Тип памяти - DDR3
CAS Latency (CL) - 7
Поддержка ECC - есть


Corsair TR3X3G1866C9DF

Corsair TR3X3G1866C9DF

Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Пропускная способность - 15000 Мб/с
Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 3 модуля по 1 Гб
Тип памяти - DDR3
CAS Latency (CL) - 9
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Kingston KTH-XW667LP/8G

Kingston KTH-XW667LP/8G

Объем - 2 модуля по 4 Гб
Форм-фактор - FB-DIMM 240-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - да


OCZ OCZ3SOE10664GK

OCZ OCZ3SOE10664GK

Row Precharge Delay (tRP) - 7
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR3