Тип памяти - DDR2 Форм-фактор - DIMM 240-контактный Row Precharge Delay (tRP) - 5 Напряжение питания - 1.8 В Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15 RAS to CAS Delay (tRCD) - 5 Дополнительная информация - поддержка 1.9В Extended Voltage Protection Объем - 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC - нет Буферизованная (Registered) - нет
|