Row Precharge Delay (tRP) - 3
Тип памяти - DDR2
RAS to CAS Delay (tRCD) - 4
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
CAS Latency (CL) - 4
Напряжение питания - 2.1 В
Поддержка ECC - нет
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Дополнительная информация - поддержка 2.15В Extended Voltage Protection
Низкопрофильная (Low Profile) - нет