Row Precharge Delay (tRP) - 3 Тип памяти - DDR2 RAS to CAS Delay (tRCD) - 4 Форм-фактор - DIMM 240-контактный CAS Latency (CL) - 4 Напряжение питания - 2.1 В Поддержка ECC - нет Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15 Объем - 2 модуля по 2 Гб Дополнительная информация - поддержка 2.15В Extended Voltage Protection Низкопрофильная (Low Profile) - нет
|