Тип памяти - DDR3 Объем - 3 модуля по 2 Гб Тактовая частота - 1866 МГц CAS Latency (CL) - 9 Row Precharge Delay (tRP) - 9 Напряжение питания - 1.65 В Форм-фактор - DIMM 240-контактный Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24 RAS to CAS Delay (tRCD) - 9 Буферизованная (Registered) - нет Радиатор - есть
|