Тип памяти - DDR3
Объем - 3 модуля по 2 Гб
Тактовая частота - 1866 МГц
CAS Latency (CL) - 9
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Напряжение питания - 1.65 В
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Буферизованная (Registered) - нет
Радиатор - есть