Об уходе за монитором.Входная страницаСообществаПравила магазинаО способах доставкиКак доехать

 

Модули памяти NCPМодули памяти NanyaМодули памяти OCZМодули памяти для ноутбуков OCZМодули оперативной памяти OCZМодули оперативной памяти для ноутбуков OCZПамять OCZМодульная память OCZМодули памяти PNYМодули памяти PQIМодули памяти PatriotМодули памяти для ноутбуков PatriotМодули оперативной памяти PatriotМодули оперативной памяти для ноутбуков PatriotПамять PatriotМодули памяти ProMOS Technologies Модули памяти Qimonda Модули памяти SamsungМодули памяти для ноутбуков SamsungМодули оперативной памяти SamsungМодули оперативной памяти для ноутбуков SamsungПамять SamsungМодульная память SamsungSamsung модули памятиSamsung модули оперативной памятиSamsung модули памяти для ноутбуковSamsung модули оперативной памяти для ноутбуковSamsung памятьSamsung модульная памятьМодульная память от SamsungОпциональная память SamsungSamsung опциональная памятьПамять для офисных устройств SamsungSamsung память для офисных устройствМодули памяти для офисных устройств SamsungПамять для ноутбуков SamsungSamsung память с проверкой точности


Объявления




Реклама



 



Модули памяти Samsung

Kingston KHX8500D2K2/4G

Kingston KHX8500D2K2/4G

Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 1066 МГц
Радиатор - есть
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Буферизованная (Registered) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 5


Kingston KVR400X64C3A/1G

Kingston KVR400X64C3A/1G

Объем - 1 модуль 1 Гб
Дополнительная информация - Позолоченные контакты.
Форм-фактор - DIMM 184-контактный
Тактовая частота - 400 МГц
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Тип памяти - DDR


Kingston KVR667D2S5/2G

Kingston KVR667D2S5/2G

Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 667 МГц
Объем - 1 модуль 2 Гб
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Буферизованная (Registered) - нет


Kingston KVR800D2N6/2G

Kingston KVR800D2N6/2G

Буферизованная (Registered) - нет
Поддержка ECC - нет
Объем - 1 модуль 2 Гб
Напряжение питания - 1.8 В
Пропускная способность - 6400 Мб/с


Kingston KVR1333D3N9/2G

Kingston KVR1333D3N9/2G

CAS Latency (CL) - 9
Тактовая частота - 1333 МГц
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Напряжение питания - 1.5 В
Пропускная способность - 10600 Мб/с
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Hynix DDR-400-DIMM-1Gb

Hynix DDR-400-DIMM-1Gb

Пропускная способность - 3200 Мб/с
Объем - 1 модуль 1 Гб
Напряжение питания - 2.5 В


Samsung DDR2-800-SO-DIMM-2Gb

Samsung DDR2-800-SO-DIMM-2Gb

Дополнительная информация - CL-tRCD-tRP 5-5-5 или 6-6-6
Напряжение питания - 1.8 В
Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - нет
Пропускная способность - 6400 Мб/с


Corsair TWIN2X4096-8500C5

Corsair TWIN2X4096-8500C5

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Буферизованная (Registered) - нет
CAS Latency (CL) - 5
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Тип памяти - DDR2
Радиатор - есть
Напряжение питания - 2.1 В


NCP DDR-400-DIMM-1Gb

NCP DDR-400-DIMM-1Gb

Поддержка ECC - нет
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Форм-фактор - DIMM 184-контактный
Тактовая частота - 400 МГц
Объем - 1 модуль 1 Гб


Kingston KVR333X64SC25/1G

Kingston KVR333X64SC25/1G

Тактовая частота - 333 МГц
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Радиатор - есть
CAS Latency (CL) - 2.5
Дополнительная информация - Позолоченные контакты.
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный


Kingston KVR800D2N6/1G

Kingston KVR800D2N6/1G

CAS Latency (CL) - 6
Объем - 1 модуль 1 Гб
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - DDR2
Пропускная способность - 6400 Мб/с
Тактовая частота - 800 МГц


Kingston KVR667D2N5/1G

Kingston KVR667D2N5/1G

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Поддержка ECC - нет


Samsung DDR2-667-SO-DIMM-1Gb

Samsung DDR2-667-SO-DIMM-1Gb

Количество ранков - 2
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Объем - 1 модуль 1 Гб


Corsair TWIN2X4096-8500C5D

Corsair TWIN2X4096-8500C5D

Поддержка ECC - нет
Объем - 2 модуля по 2 Гб
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Напряжение питания - 2.1 В


Kingston KHX2000C9D3T1K3/6GX

Kingston KHX2000C9D3T1K3/6GX

RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - DDR3
Буферизованная (Registered) - нет
Радиатор - есть


Kingston KHX8500D2/2G

Kingston KHX8500D2/2G

RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
Радиатор - есть
Форм-фактор - DIMM 240-контактный


Kingston KVR400X64SC3A/1G

Kingston KVR400X64SC3A/1G

Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 2.6 В
Пропускная способность - 3200 Мб/с
RAS to CAS Delay (tRCD) - 3
Тип памяти - DDR


Kingston KHX6400D2K2/4G

Kingston KHX6400D2K2/4G

Пропускная способность - 6400 Мб/с
Буферизованная (Registered) - нет
Радиатор - есть
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Напряжение питания - 1.8 В


Corsair TR3X6G1600C9

Corsair TR3X6G1600C9

RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Тактовая частота - 1600 МГц
Объем - 3 модуля по 2 Гб
CAS Latency (CL) - 9
Row Precharge Delay (tRP) - 9


Kingston KVR533D2S4/1G

Kingston KVR533D2S4/1G

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 533 МГц
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
RAS to CAS Delay (tRCD) - 4


Kingston KVR667D2S5/1G

Kingston KVR667D2S5/1G

Пропускная способность - 5300 Мб/с
Форм-фактор - SODIMM
Объем - 1 модуль 1 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
CAS Latency (CL) - 5
Тип памяти - DDR2


Hynix DDR2-667-SO-DIMM-2Gb

Hynix DDR2-667-SO-DIMM-2Gb

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 1 модуль 2 Гб
CAS Latency (CL) - 5


Corsair TW3X4G1600C9DHX

Corsair TW3X4G1600C9DHX

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Тип памяти - DDR3
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Тактовая частота - 1600 МГц
Пропускная способность - 12800 Мб/с


Kingston KVR400X64C3A/512

Kingston KVR400X64C3A/512

CAS Latency (CL) - 3
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания - 2.6 В


Kingston KVR800D2N5/1G

Kingston KVR800D2N5/1G

Тактовая частота - 800 МГц
Тип памяти - DDR2
Напряжение питания - 1.8 В


Kingston KVR800D2S6/2G

Kingston KVR800D2S6/2G

Пропускная способность - 6400 Мб/с
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 800 МГц
Объем - 1 модуль 2 Гб
Тип памяти - DDR2


Corsair TWIN2X4096-6400C4DHX

Corsair TWIN2X4096-6400C4DHX

Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12
Row Precharge Delay (tRP) - 4
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тип памяти - DDR2
Напряжение питания - 2.1 В
Тактовая частота - 800 МГц


Samsung DDR2-800-SO-DIMM-1Gb

Samsung DDR2-800-SO-DIMM-1Gb

Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 800 МГц


Samsung DDR2-667-SO-DIMM-2Gb

Samsung DDR2-667-SO-DIMM-2Gb

Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Буферизованная (Registered) - нет
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Объем - 1 модуль 2 Гб


Kingston KVR333X64SC25/512

Kingston KVR333X64SC25/512

Объем - 1 модуль 512 Мб
Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Напряжение питания - 2.5 В


Kingston KVR667D2N5/2G

Kingston KVR667D2N5/2G

Пропускная способность - 5300 Мб/с
Тактовая частота - 667 МГц
Поддержка ECC - нет
Напряжение питания - 1.8 В
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Объем - 1 модуль 2 Гб
CAS Latency (CL) - 5


Samsung DDR2-800-DIMM-2Gb

Samsung DDR2-800-DIMM-2Gb

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Поддержка ECC - нет
Объем - 1 модуль 2 Гб
Напряжение питания - 1.8 В


Kingston KVR667D2D4F5/4G

Kingston KVR667D2D4F5/4G

Поддержка ECC - есть
Пропускная способность - 5300 Мб/с
Буферизованная (Registered) - да
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 5


Samsung DDR-400-DIMM-1Gb

Samsung DDR-400-DIMM-1Gb

Поддержка ECC - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Форм-фактор - DIMM
Тактовая частота - 400 МГц
Буферизованная (Registered) - нет


Kingston KVR1333D3N9K3/6G

Kingston KVR1333D3N9K3/6G

Поддержка ECC - нет
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Тактовая частота - 1333 МГц


Samsung DDR2-800-DIMM-1Gb

Samsung DDR2-800-DIMM-1Gb

Объем - 1 модуль 1 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 5
CAS Latency (CL) - 5
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Corsair TWIN2X4096-6400C5-G

Corsair TWIN2X4096-6400C5-G

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Напряжение питания - 1.9 В
Пропускная способность - 6400 Мб/с
Радиатор - есть


Hynix DDR2-800-SO-DIMM-2Gb

Hynix DDR2-800-SO-DIMM-2Gb

Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Объем - 1 модуль 2 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 800 МГц


Corsair TW3X4G1333C9DHX

Corsair TW3X4G1333C9DHX

Поддержка ECC - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Kingston KVR800D2S5/2G

Kingston KVR800D2S5/2G

Поддержка ECC - нет
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Буферизованная (Registered) - нет
Пропускная способность - 6400 Мб/с
Объем - 1 модуль 2 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Corsair TR3X6G1333C9

Corsair TR3X6G1333C9

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Пропускная способность - 10666 Мб/с
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Напряжение питания - 1.5 В


Kingston KVR800D2S5K2/4G

Kingston KVR800D2S5K2/4G

Напряжение питания - 1.8 В
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Буферизованная (Registered) - нет
Пропускная способность - 6400 Мб/с
CAS Latency (CL) - 5
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Kingston KVR800D2N5/2G

Kingston KVR800D2N5/2G

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 2 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка


Kingston KVR667D2S5K2/4G

Kingston KVR667D2S5K2/4G

Пропускная способность - 5300 Мб/с
Тактовая частота - 667 МГц
CAS Latency (CL) - 5
Поддержка ECC - нет
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Тип памяти - DDR2
Объем - 2 модуля по 2 Гб


Corsair TWIN2X2048-6400

Corsair TWIN2X2048-6400

Напряжение питания - 1.9 В
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Пропускная способность - 6400 Мб/с
Поддержка ECC - нет
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 18
CAS Latency (CL) - 5


Corsair TR3X3G1600C8D

Corsair TR3X3G1600C8D

Форм-фактор - DIMM 240-контактный
CAS Latency (CL) - 8
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Поддержка ECC - нет
Тип памяти - DDR3
RAS to CAS Delay (tRCD) - 8


Kingston KVR400X64SC3A/512

Kingston KVR400X64SC3A/512

Тактовая частота - 400 МГц
Пропускная способность - 3200 Мб/с
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тип памяти - DDR
Дополнительная информация - Позолоченные контакты.
Напряжение питания - 2.6 В


OCZ OCZ2VU10664GK

OCZ OCZ2VU10664GK

CAS Latency (CL) - 6
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Kingston KHX8500D2K2/2G

Kingston KHX8500D2K2/2G

RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Тип памяти - DDR2
Объем - 2 модуля по 1 Гб


Samsung DDR-400-DIMM-512Mb

Samsung DDR-400-DIMM-512Mb

Тип памяти - DDR
Объем - 1 модуль 512 Мб
Тактовая частота - 400 МГц
Форм-фактор - DIMM



Samsung DDR-400-DIMM-512Mb

цены веспер автоматика

Тип памяти - DDR
Объем - 1 модуль 512 Мб
Тактовая частота - 400 МГц
Форм-фактор - DIMM


Samsung DDR-400-DIMM-512Mb

Смотрите также: меховой жилет купить москва

Тип памяти - DDR
Объем - 1 модуль 512 Мб
Тактовая частота - 400 МГц
Форм-фактор - DIMM


Samsung DDR-400-DIMM-512Mb

юридические услуги москва - вся информация тут

Тип памяти - DDR
Объем - 1 модуль 512 Мб
Тактовая частота - 400 МГц
Форм-фактор - DIMM


Samsung DDR-400-DIMM-512Mb

кардан цена

Тип памяти - DDR
Объем - 1 модуль 512 Мб
Тактовая частота - 400 МГц
Форм-фактор - DIMM