Об уходе за монитором.Входная страницаСообществаПравила магазинаО способах доставкиКак доехать

 

Модули памяти NCPМодули памяти NanyaМодули памяти OCZМодули памяти для ноутбуков OCZМодули оперативной памяти OCZМодули оперативной памяти для ноутбуков OCZПамять OCZМодульная память OCZМодули памяти PNYМодули памяти PQIМодули памяти PatriotМодули памяти для ноутбуков PatriotМодули оперативной памяти PatriotМодули оперативной памяти для ноутбуков PatriotПамять PatriotМодули памяти ProMOS Technologies Модули памяти Qimonda Модули памяти SamsungМодули памяти для ноутбуков SamsungМодули оперативной памяти SamsungМодули оперативной памяти для ноутбуков SamsungПамять SamsungМодульная память SamsungSamsung модули памятиSamsung модули оперативной памятиSamsung модули памяти для ноутбуковSamsung модули оперативной памяти для ноутбуковSamsung памятьSamsung модульная памятьМодульная память от SamsungОпциональная память SamsungSamsung опциональная памятьПамять для офисных устройств SamsungSamsung память для офисных устройствМодули памяти для офисных устройств SamsungПамять для ноутбуков SamsungSamsung память с проверкой точности


Объявления




Реклама



 



Модули памяти Qimonda

Qimonda HYS72T256420HFN-3S-B

Qimonda HYS72T256420HFN-3S-B

Поддержка ECC - есть
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Количество чипов каждого модуля - 36, двусторонняя упаковка


Qimonda IMSH1GE13A1F1C-13G

Qimonda IMSH1GE13A1F1C-13G

Тип памяти - DDR3
Пропускная способность - 10600 Мб/с
Количество ранков - 2
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - есть


Qimonda IMSH1GU13A1F1C-13G

Qimonda IMSH1GU13A1F1C-13G

Пропускная способность - 10600 Мб/с
Поддержка ECC - нет
CAS Latency (CL) - 8
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Qimonda IMHH1GU13A1F1C-XPH

Qimonda IMHH1GU13A1F1C-XPH

Количество ранков - 2
Row Precharge Delay (tRP) - 9
CAS Latency (CL) - 9


Qimonda IMSH51E03A1F1C-08D

Qimonda IMSH51E03A1F1C-08D

Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 800 МГц
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Количество ранков - 1
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Пропускная способность - 6400 Мб/с


Qimonda IMSH51E03A1F1C-08E

Qimonda IMSH51E03A1F1C-08E

Количество ранков - 1
CAS Latency (CL) - 6
Row Precharge Delay (tRP) - 6
Тактовая частота - 800 МГц


Qimonda IMSH51U03A1F1C-08D

Qimonda IMSH51U03A1F1C-08D

Тип памяти - DDR3
Поддержка ECC - нет
Объем - 1 модуль 512 Мб
Тактовая частота - 800 МГц
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
CAS Latency (CL) - 5
Пропускная способность - 6400 Мб/с


Qimonda IMSH51U03A1F1C-08E

Qimonda IMSH51U03A1F1C-08E

Буферизованная (Registered) - нет
Поддержка ECC - нет
Тактовая частота - 800 МГц
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
RAS to CAS Delay (tRCD) - 6


Qimonda IMSH51E03A1F1C-10F

Qimonda IMSH51E03A1F1C-10F

Объем - 1 модуль 512 Мб
CAS Latency (CL) - 7
Количество ранков - 1


Qimonda IMSH51E03A1F1C-10G

Qimonda IMSH51E03A1F1C-10G

Тактовая частота - 1066 МГц
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR3
Объем - 1 модуль 512 Мб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Qimonda IMSH51U03A1F1C-10F

Qimonda IMSH51U03A1F1C-10F

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 512 Мб


Qimonda IMSH51U03A1F1C-10G

Qimonda IMSH51U03A1F1C-10G

Тактовая частота - 1066 МГц
Количество ранков - 1
Пропускная способность - 8500 Мб/с


Qimonda IMSH51E03A1F1C-13H

Qimonda IMSH51E03A1F1C-13H

Тип памяти - DDR3
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Row Precharge Delay (tRP) - 9
CAS Latency (CL) - 9


Qimonda IMSH51U03A1F1C-13H

Qimonda IMSH51U03A1F1C-13H

Row Precharge Delay (tRP) - 9
Объем - 1 модуль 512 Мб
Пропускная способность - 10600 Мб/с
CAS Latency (CL) - 9
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9


Qimonda IMSH51E03A1F1C-13G

Qimonda IMSH51E03A1F1C-13G

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
CAS Latency (CL) - 8
Тип памяти - DDR3
Тактовая частота - 1333 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 8


Qimonda IMSH51U03A1F1C-13G

Qimonda IMSH51U03A1F1C-13G

Тип памяти - DDR3
RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Объем - 1 модуль 512 Мб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 8
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Количество ранков - 1


Qimonda IMHH51U03A1F1C-XPH

Qimonda IMHH51U03A1F1C-XPH

Буферизованная (Registered) - нет
Тактовая частота - 1600 МГц
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 512 Мб


Qimonda IMSH1GU03A1F1C-13H

Qimonda IMSH1GU03A1F1C-13H

Объем - 1 модуль 1 Гб
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
CAS Latency (CL) - 9


Qimonda HYS72T1G842EFA-3S-C2

Qimonda HYS72T1G842EFA-3S-C2

Объем - 1 модуль 8 Гб
Тактовая частота - 667 МГц
Форм-фактор - FB-DIMM 240-контактный
Количество чипов каждого модуля - 36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания - 1.8 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Количество ранков - 4


Qimonda HYS72T1G542ELA-3S-C2

Qimonda HYS72T1G542ELA-3S-C2

Объем - 1 модуль 8 Гб
Тип памяти - DDR2
Тактовая частота - 667 МГц
Количество ранков - 4
Количество чипов каждого модуля - 36, двусторонняя упаковка
Row Precharge Delay (tRP) - 5


Qimonda HYS72T1G542EFA-25F-C2

Qimonda HYS72T1G542EFA-25F-C2

Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - есть
Радиатор - есть


Qimonda HYS72T1G842EFA-25F-C2

Qimonda HYS72T1G842EFA-25F-C2

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
CAS Latency (CL) - 5
Объем - 1 модуль 8 Гб
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5


Qimonda HYS72T1G542ELA-25F-C2

Qimonda HYS72T1G542ELA-25F-C2

Напряжение питания - 1.55 В
Количество ранков - 4
Тип памяти - DDR2
Радиатор - есть


Qimonda HYS72T1G542EFA-3S-C2

Qimonda HYS72T1G542EFA-3S-C2

Поддержка ECC - есть
Объем - 1 модуль 8 Гб
Тактовая частота - 667 МГц
Количество чипов каждого модуля - 36, двусторонняя упаковка
Тип памяти - DDR2


Qimonda HYS72T1G542EFD-3S-C2

Qimonda HYS72T1G542EFD-3S-C2

Объем - 1 модуль 8 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - есть


Qimonda HYS72T256220EP-3S-B2

Qimonda HYS72T256220EP-3S-B2

Пропускная способность - 5300 Мб/с
Тактовая частота - 667 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 5
CAS Latency (CL) - 5
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - есть


Qimonda IMSH2GU13A1F1C-13H

Qimonda IMSH2GU13A1F1C-13H

Row Precharge Delay (tRP) - 9
Тип памяти - DDR3
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Объем - 1 модуль 2 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет


Qimonda HYS64T64000EU-2.5-B2

Qimonda HYS64T64000EU-2.5-B2

Количество ранков - 1
Пропускная способность - 6400 Мб/с
RAS to CAS Delay (tRCD) - 6
Количество чипов каждого модуля - 8, односторонняя упаковка
Буферизованная (Registered) - нет
Тип памяти - DDR2


Qimonda HYS72T128420EFA-3S-B2

Qimonda HYS72T128420EFA-3S-B2

Тип памяти - DDR2
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Поддержка ECC - есть


Qimonda HYS72T256921EFA-3S-C2

Qimonda HYS72T256921EFA-3S-C2

Радиатор - есть
CAS Latency (CL) - 5
Форм-фактор - FB-DIMM 240-контактный
Объем - 1 модуль 2 Гб
Тактовая частота - 667 МГц
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - да


Qimonda IMSH1GE13A1F1C-10F

Qimonda IMSH1GE13A1F1C-10F

RAS to CAS Delay (tRCD) - 7
Тактовая частота - 1066 МГц
Количество ранков - 2
Пропускная способность - 8500 Мб/с
Буферизованная (Registered) - нет


Qimonda IMSH1GE13A1F1C-10G

Qimonda IMSH1GE13A1F1C-10G

Объем - 1 модуль 1 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
RAS to CAS Delay (tRCD) - 8
Количество ранков - 2
Тип памяти - DDR3


Qimonda IMSH1GU13A1F1C-13H

Qimonda IMSH1GU13A1F1C-13H

CAS Latency (CL) - 9
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Количество ранков - 2


Qimonda IMSH1GE13A1F1C-13H

Qimonda IMSH1GE13A1F1C-13H

Row Precharge Delay (tRP) - 9
Объем - 1 модуль 1 Гб
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Буферизованная (Registered) - нет
Поддержка ECC - есть
Количество ранков - 2