ProMOS Technologies DDR2 667 SO-DIMM 256Mb
Напряжение питания - 1.8 ВRAS to CAS Delay (tRCD) - 5Форм-фактор - SODIMM 200-контактныйRow Precharge Delay (tRP) - 5Тип памяти - DDR2CAS Latency (CL) - 5Объем - 1 модуль 256 МбБуферизованная (Registered) - нет