ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 2Gb
CAS Latency (CL) - 6RAS to CAS Delay (tRCD) - 6Объем - 1 модуль 2 ГбПоддержка ECC - нетБуферизованная (Registered) - нетФорм-фактор - SODIMM 200-контактныйRow Precharge Delay (tRP) - 6