Об уходе за монитором.Входная страницаСообществаПравила магазинаО способах доставкиКак доехать

 

Модули памяти NCPМодули памяти NanyaМодули памяти OCZМодули памяти для ноутбуков OCZМодули оперативной памяти OCZМодули оперативной памяти для ноутбуков OCZПамять OCZМодульная память OCZМодули памяти PNYМодули памяти PQIМодули памяти PatriotМодули памяти для ноутбуков PatriotМодули оперативной памяти PatriotМодули оперативной памяти для ноутбуков PatriotПамять PatriotМодули памяти ProMOS Technologies Модули памяти Qimonda Модули памяти SamsungМодули памяти для ноутбуков SamsungМодули оперативной памяти SamsungМодули оперативной памяти для ноутбуков SamsungПамять SamsungМодульная память SamsungSamsung модули памятиSamsung модули оперативной памятиSamsung модули памяти для ноутбуковSamsung модули оперативной памяти для ноутбуковSamsung памятьSamsung модульная памятьМодульная память от SamsungОпциональная память SamsungSamsung опциональная памятьПамять для офисных устройств SamsungSamsung память для офисных устройствМодули памяти для офисных устройств SamsungПамять для ноутбуков SamsungSamsung память с проверкой точности


Объявления




Реклама



 



Модули памяти ProMOS Technologies

ProMOS-Technologies DDR2-533-SO-DIMM-256Mb

ProMOS-Technologies DDR2-533-SO-DIMM-256Mb

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Напряжение питания - 1.8 В
Поддержка ECC - нет
CAS Latency (CL) - 4


ProMOS-Technologies DDR2-533-SO-DIMM-1Gb

ProMOS-Technologies DDR2-533-SO-DIMM-1Gb

CAS Latency (CL) - 4
Тип памяти - DDR2
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 1 модуль 1 Гб
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный


ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-256Mb

ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-256Mb

Напряжение питания - 1.8 В
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Тип памяти - DDR2


ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-1Gb

ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-1Gb

Тактовая частота - 667 МГц
Напряжение питания - 1.8 В
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
CAS Latency (CL) - 5
Поддержка ECC - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 5


ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-2Gb

ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-2Gb

Напряжение питания - 1.8 В
Тактовая частота - 667 МГц
Row Precharge Delay (tRP) - 5


ProMOS-Technologies DDR2-800-CL5-SO-DIMM-1Gb

ProMOS-Technologies DDR2-800-CL5-SO-DIMM-1Gb

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
CAS Latency (CL) - 5
Тип памяти - DDR2
Буферизованная (Registered) - нет
Поддержка ECC - нет


ProMOS-Technologies DDR2-800-CL5-SO-DIMM-256Mb

ProMOS-Technologies DDR2-800-CL5-SO-DIMM-256Mb

Тип памяти - DDR2
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Буферизованная (Registered) - нет
Напряжение питания - 1.8 В


ProMOS-Technologies DDR2-800-CL5-SO-DIMM-512Mb

ProMOS-Technologies DDR2-800-CL5-SO-DIMM-512Mb

CAS Latency (CL) - 5
Тип памяти - DDR2
Буферизованная (Registered) - нет


ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-1Gb

ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-1Gb

Напряжение питания - 1.8 В
Row Precharge Delay (tRP) - 6
RAS to CAS Delay (tRCD) - 6


ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-256Mb

ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-256Mb

Тип памяти - DDR2
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Объем - 1 модуль 256 Мб
Поддержка ECC - нет


ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-2Gb

ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-2Gb

CAS Latency (CL) - 6
RAS to CAS Delay (tRCD) - 6
Объем - 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC - нет


ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-512Mb

ProMOS-Technologies DDR2-800-CL6-SO-DIMM-512Mb

Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 6
Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - нет


ProMOS-Technologies DDR2-533-SO-DIMM-512Mb

ProMOS-Technologies DDR2-533-SO-DIMM-512Mb

Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Row Precharge Delay (tRP) - 4
Напряжение питания - 1.8 В
Объем - 1 модуль 512 Мб


ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-512Mb

ProMOS-Technologies DDR2-667-SO-DIMM-512Mb

Тактовая частота - 667 МГц
Форм-фактор - SODIMM 200-контактный
Объем - 1 модуль 512 Мб
Тип памяти - DDR2
Поддержка ECC - нет