CAS Latency (CL) - 3 Объем - 2 модуля по 512 Мб Буферизованная (Registered) - нет Пропускная способность - 4200 Мб/с Activate to Precharge Delay (tRAS) - 6 Row Precharge Delay (tRP) - 3 Тип памяти - DDR2 Тактовая частота - 533 МГц Радиатор - есть Поддержка ECC - нет
|