Объем - 2 модуля по 512 Мб Activate to Precharge Delay (tRAS) - 7 Тип памяти - DDR Поддержка ECC - нет Буферизованная (Registered) - нет Напряжение питания - 2.7 В Тактовая частота - 550 МГц Форм-фактор - DIMM 184-контактный Row Precharge Delay (tRP) - 3 RAS to CAS Delay (tRCD) - 3 Пропускная способность - 4400 Мб/с Дополнительная информация - напряжение питания 2.7-2.9В
|