Тип памяти - DDR2 Row Precharge Delay (tRP) - 5 Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15 Напряжение питания - 1.9 В RAS to CAS Delay (tRCD) - 5 CAS Latency (CL) - 5 Объем - 2 модуля по 1 Гб Тактовая частота - 800 МГц Пропускная способность - 6400 Мб/с Поддержка ECC - нет
|