Пропускная способность - 6400 Мб/с RAS to CAS Delay (tRCD) - 5 Row Precharge Delay (tRP) - 5 Форм-фактор - DIMM 240-контактный Тип памяти - DDR2 Буферизованная (Registered) - нет Объем - 2 модуля по 1 Гб Радиатор - есть Напряжение питания - 2.1 В Тактовая частота - 800 МГц Поддержка ECC - нет Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15
|