Пропускная способность - 6400 Мб/с
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тип памяти - DDR2
Буферизованная (Registered) - нет
Объем - 2 модуля по 1 Гб
Радиатор - есть
Напряжение питания - 2.1 В
Тактовая частота - 800 МГц
Поддержка ECC - нет
Дополнительная информация - поддержка технологии Extended Voltage Protection
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 15