CAS Latency (CL) - 5 Тип памяти - DDR2 Объем - 2 модуля по 1 Гб RAS to CAS Delay (tRCD) - 5 Activate to Precharge Delay (tRAS) - 18 Пропускная способность - 9600 Мб/с Радиатор - есть Row Precharge Delay (tRP) - 5 Форм-фактор - DIMM 240-контактный Поддержка ECC - нет Тактовая частота - 1200 МГц
|