Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12 Тактовая частота - 800 МГц RAS to CAS Delay (tRCD) - 5 Row Precharge Delay (tRP) - 5 Напряжение питания - 1.9 В CAS Latency (CL) - 5 Буферизованная (Registered) - нет Тип памяти - DDR2 Объем - 2 модуля по 4 Гб Низкопрофильная (Low Profile) - нет Пропускная способность - 6400 Мб/с
|