Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12
Тактовая частота - 800 МГц
RAS to CAS Delay (tRCD) - 5
Row Precharge Delay (tRP) - 5
Напряжение питания - 1.9 В
CAS Latency (CL) - 5
Буферизованная (Registered) - нет
Тип памяти - DDR2
Объем - 2 модуля по 4 Гб
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Пропускная способность - 6400 Мб/с
| 
