Тактовая частота - 1200 МГц Тип памяти - DDR2 CAS Latency (CL) - 6 Форм-фактор - DIMM 240-контактный Activate to Precharge Delay (tRAS) - 18 Поддержка ECC - нет Row Precharge Delay (tRP) - 6 Объем - 2 модуля по 2 Гб Буферизованная (Registered) - нет Дополнительная информация - поддержка 2.25В Extended Voltage Protection RAS to CAS Delay (tRCD) - 6 Напряжение питания - 2.2 В
|