Тактовая частота - 1200 МГц
Тип памяти - DDR2
CAS Latency (CL) - 6
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 18
Поддержка ECC - нет
Row Precharge Delay (tRP) - 6
Объем - 2 модуля по 2 Гб
Буферизованная (Registered) - нет
Дополнительная информация - поддержка 2.25В Extended Voltage Protection
RAS to CAS Delay (tRCD) - 6
Напряжение питания - 2.2 В
| 
